[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体基板，位于玻璃基板上，其特征在于，包括：

数据线，包括:第一数据线、第二数据线、以及连接第一数据线和第二数据线的信号搭桥线；

栅线，与数据线交叉；

TFT元件，包括:位于栅线上的绝缘层、由信号搭桥线形成的源极、漏极、以及与栅线连接的栅极、以及位于源极和漏极之间的半导体层；

像素电极，与漏极连接；

保护层，位于半导体层上；其中，

所述半导体层位于绝缘层上。

2.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体基板，其特征在于，所述第一数据线、栅线、第二数据线、以及栅极均位于玻璃基板上。

3.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体基板，其特征在于，所述信号搭桥线、源极、栅极、以及像素电极均由透明导电膜材料制成。

4.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体基板，其特征在于，半导体层所用材料为ZnO或IGZO。

5.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体基板，其特征在于，所述保护层为蚀刻阻挡层，且所述保护层由SiO₂材料制成。

6.如权利要求1所述的如权利要求7所述的金属氧化物薄膜晶体基板的制造方法，其特征在于：还包括位于玻璃基板上的端子，所述端子上设有金属导线层。

7.一种液晶显示器，其特征在于：包括如权利要求1-6所述的金属氧化物薄膜晶体基板基板和CF基板、以及位于金属氧化物薄膜晶体基板基板和CF基板之间的液晶。

8.一种金属氧化物薄膜晶体基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

10）在玻璃基板上形成一金属层，接着在该金属层上形成第一数据线、栅线、第二数据线、与栅线连接的栅极；

20）在形成上述图案的基础上形成一绝缘层，接着在该绝缘层上形成第二接触孔与第三接触孔；

30）在形成上述图案的基础上用沉积一层金属线，接着形成信号搭桥线、源极、像素电极、第六接触孔、漏极，所述信号搭桥线连接第一数据线和第二数据线，所述像素电极连接漏极；

40）在第六接触孔内形成分别半导体层和保护层，所述半导体层的两端分别与源极与漏极接触；所述保护层位于半导体层上。

9.如权利要求8所述的金属氧化物薄膜晶体基板的制造方法，其特征在于：所述第二接触孔位于第一数据线上，所述第三接触孔位于第二数据线上。

10.如权利要求8或9所述的金属氧化物薄膜晶体基板的制造方法，其特征在于：所述信号搭桥线连接第二接触孔和第三接触孔。

11.如权利要求8所述的金属氧化物薄膜晶体基板的制造方法，其特征在于：在所述步骤10）中，在玻璃基板上形成端子，在步骤20）中，形成位于端子上的第一接触孔，在所述步骤30）中，在第一接触孔内形成金属导电层。