[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及一种TFT液晶显示技术，尤其涉及一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中，薄膜晶体基板液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD）是液晶显示器的主流产品。液晶显示器的最重要的部件，其上设有TFT基板和CF基本，在TFT基本和CF基板加有液晶（LC），故称为液晶显示器。

图1为现有金属氧化物薄膜晶体基板的结构示意图，其包括：栅极10、位于栅极10上的第一绝缘层20、半导体层30、位于半导体层30两侧的源极40和漏极50、位于半导体层30上的蚀刻停止层60、与漏极连接的像素电极80、以及第二绝缘层70。

现有金属氧化物薄膜晶体基板的制程跟现有非晶硅制程类似，除传统的BCE结构外，考量半导体特性会有ESL（Etch Stop Layer：蚀刻停止层）与Co-Planar架构，所需的制程需要五道或是六道光罩。因IGZO无光漏电效应，因此亦有顶栅TFT结构。

发明内容

本发明提供一种减少光罩制程的TFT结构，可以减化制程降低制造成的金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器。

本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体基板，位于玻璃基板上，其特征在于，包括：数据线，包括:第一数据线、第二数据线、以及连接第一数据线和第二数据线的信号搭桥线；栅线，与数据线交叉；TFT元件，包括:位于栅线上的绝缘层、由信号搭桥线形成的源极、漏极、以及与栅线连接的栅极、以及位于源极和漏极之间的半导体层；像素电极，与漏极连接；保护层，位于半导体层上；其中，所述半导体层位于绝缘层上。

本发明又提供一种金属氧化物薄膜晶体基板的制造方法，包括如下步骤：

10）在玻璃基板上形成一金属层，接着在该金属层上形成第一数据线、栅线、第二数据线、与栅线连接的栅极；

20）在形成上述图案的基础上形成一绝缘层，接着在该绝缘层上形成第二接触孔与第三接触孔；

30）在形成上述图案的基础上用沉积一层金属线，接着形成信号搭桥线、源极、像素电极、第六接触孔、漏极，所述信号搭桥线连接第一数据线和第二数据线，所述像素电极连接漏极；

40）在第六接触孔内形成分别半导体层和保护层，所述半导体层的两端分别与源极与漏极接触；所述保护层位于半导体层上。

本发明又提供一种液晶显示器，包括金属氧化物薄膜晶体基板基板和CF基板、以及位于金属氧化物薄膜晶体基板基板和CF基板之间的液晶。

本金属氧化物薄膜晶体基板的制造方法，替代a-Si；ITO导体特性，电性连接栅极金属，提出一种减少光罩制程的TFT结构，可以减化制程降低制造成本。以IGZO或ZnO作为半导体层，利用栅极金属作为源极讯号，再利用ITO或达金属水平的低电阻透明材料进行桥接形成源极信号线（源极），像素电极（含漏极），只需四道光罩制程即完成TFT元件，有利于节约成本。

附图说明

图1是现有金属氧化物薄膜晶体基板的结构示意图；

图2A是本发明金属氧化物薄膜晶体基板的结构示意图；

图2B是图2A所示金属氧化物薄膜晶体基板在A-A方向的剖视图；

图3A是本发明金属氧化物薄膜晶体基板制造方法的步骤一的示意图；

图3B是图3A所示步骤一在A-A方向的剖视图；

图4A是本发明金属氧化物薄膜晶体基板制造方法的步骤二的示意图；

图4B是图4A所示步骤一在A-A方向的剖视图；

图5A是本发明金属氧化物薄膜晶体基板制造方法的步骤三的示意图；

图5B是图5A所示步骤一在A-A方向的剖视图；

图6A是本发明金属氧化物薄膜晶体基板制造方法的步骤四的示意图；

图6B是图6A所示步骤一在A-A方向的剖视图；

图中符号说明：

1-玻璃基底10-端子20-数据线21-第一数据线

22-第二数据线30-栅线31-栅极40-绝缘层

41-第一接触孔    42-第二接触孔    43-第三接触孔

44-第四接触孔    56-第五接触孔

50-金属线    55-信号搭桥线    51-导电金属线

52-源极    53-漏极    54-像素电极

60-半导体层    70-保护层

具体实施方式