[发明专利]半导体结构

摘要

本发明涉及一种半导体结构，其包括：一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的一侧，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的一侧；一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的一侧，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；以及一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的一侧，所述第一光学对称层的折射率n1与所述缓冲层和有源层的整体的等效折射率n2的差值∆n1于等于0.3，其中∆n1=|n1-n2|。

主权项

1.一种半导体结构，其包括：一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；其特征在于，进一步包括一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的表面并接触设置，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的表面并接触设置；一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的表面并接触设置，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；以及一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的表面并接触设置，所述第一光学对称层的折射率n₁与所述缓冲层和有源层的整体的等效折射率n₂的差值∆n₁小于等于0.3，其中∆n₁=|n₁-n₂|。