[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；其特征在于，进一步包括

一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的表面并接触设置，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；

一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的表面并接触设置；

一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的表面并接触设置，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；以及

一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的表面并接触设置，所述第一光学对称层的折射率n₁与所述缓冲层和有源层的整体的等效折射率n₂的差值?n₁小于等于0.3，其中?n₁=|n₁-n₂|。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层的材料为金、银、铝、铜、金银合金、金铝合金或银铝合金。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三光学对称层的折射率与第四光学对称层的折射率一致。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三光学对称层或所述第四光学对称层的厚度为5纳米至40纳米。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一光学对称层的折射率的范围为2.2至2.8。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一光学对称层的材料为二氧化钛、氧化铪、氧化锆、聚酰亚胺或者三氧化二钇。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一光学对称层的厚度与有源层的整体厚度一致。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构进一步包括多个三维纳米结构，所述三维纳米结构设置于金属层分别与第三光学对称层和第四光学对称层接触的表面。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构进一步包括多个三维纳米结构，所述三维纳米结构设置于第一半导体层、活性层、第二半导体层、第三光学对称层、金属层、第四光学对称层、第一光学对称层以及第二光学对称层的表面。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述多个三维纳米结构并排延伸，每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，每个三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形。

12.一种半导体结构，其包括：

一基底；

一有源层设置于所述基底的一表面；

其特征在于：进一步包括

一第三光学对称层设置于所述有源层远离基底的一侧，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；

一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的一侧；

一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的一侧，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；以及

一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的一侧，所述第一光学对称层180的折射率n₁与所述缓冲层116和有源层的整体的等效折射率n₂的差值?n₁于等于0.3，其中?n₁=|n₁-n₂|；

一第二光学对称层设置于所述第一光学对称层远离基底的表面，第二光学对称层190的折射率n₃与基底110的折射率n₄之差?n₂小于等于0.1，其中?n₂=|n₃-n₄|。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一光学对称层的厚度与有源层的整体厚度一致。