[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201210185697.5 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474544B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朱钧;张淏酥;李群庆;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构，其包括：一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一金属等离子体产生层设置于所述有源层的一侧；一第一光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离有源层的一侧，所述第一光学对称层的折射率与有源层的折射率之差小于等于0.3。所述半导体结构在应用中具有良好的发光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包括：一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一金属等离子体产生层直接设置于所述有源层的一表面；一第一光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离有源层的表面，所述第一光学对称层的折射率与有源层的折射率之差小于等于0.3。
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