[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；

一金属等离子体产生层设置于所述有源层的一侧；

一第一光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离有源层的一侧，所述第一光学对称层的折射率与有源层的折射率之差小于等于0.3。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属等离子体产生层的材料的折射率为一复数，且该复数的虚部大于零或者小于零，且金属等离子体产生层的材料的介质常数为一复数，且该复数的实部为一个负数。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属等离子体产生层的材料为金属。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述金属等离子体产生层的材料为金、银、铝或铜。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属等离子体产生层的材料为金属陶瓷，所述金属陶瓷层为金属材料和电介质材料构成的复合材料层。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述金属陶瓷的成分包括二氧化硅和银。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括一第三光学对称层设置于所述金属等离子体产生层与所述有源层之间，一第四光学对称层设置于所述金属等离子体产生层与所述第一光学对称层之间。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第三光学对称层或者所述第四光学对称层的材料为二氧化硅、氟化镁或氟化锂。

9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第三光学对称层或者所述第四光学对称层的厚度为5纳米至40纳米。

10.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第三光学对称层或者所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一光学对称层的折射率的值的范围为2.2至2.8。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一光学对称层的材料为二氧化钛、氧化铪、氧化锆或者聚酰亚胺。

13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构进一步包括多个三维纳米结构，所述三维纳米结构设置于第一半导体层、活性层或/以及第二半导体层的远离基底的表面中。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述多个三维纳米结构并排延伸，每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

15.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，每个三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形。

16.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为一太阳能电池。

17.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为一波导管。

18.一种半导体结构，其包括：

一基底；

一有源层设置于所述基底的一表面；

其特征在于：进一步包括

一金属等离子体产生层设置于所述有源层远离基底的一表面；

一第一光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离基底的一表面，所述第一光学对称层的折射率与有源层的整体的等效折射率之差小于等于0.3；以及

一第二光学对称层设置于所述第一光学对称层远离基底的表面，所述第二光学对称层的折射率与基底的折射率之差小于等于0.1。

19.如权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括一第三光学对称层设置于所述金属等离子体产生层与所述有源层之间，一第四光学对称层设置于所述金属等离子体产生层与所述第一光学对称层之间。