[发明专利]非挥发性记忆体及其制作方法有效
| 申请号： | 201210184679.5 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103474476A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 古紹泓 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。此非挥发性记忆体包括栅介电层、浮置栅极、控制栅极、栅间介电结构以及二个掺杂区。栅介电层配置于基底上。浮置栅极配置于栅介电层上。控制栅极配置于浮置栅极上。栅间介电结构配置于控制栅极与浮置栅极之间。栅间介电结构包括第一氧化物层、第二氧化物层以及带电荷氮化物层。第一氧化物层配置于浮置栅极上。第二氧化物层配置于第一氧化物层上。带电荷氮化物层配置于第一氧化物层与第二氧化物层之间。二个掺杂区分别配置于浮置栅极二侧的基底中。本发明还提供了一种此非挥发性记忆体制作方法。本发明通过形成带电荷氮化物层，增加了氮化物层的导电率，提高了非挥发性记忆体的栅极耦合比与转导值。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 记忆体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种非挥发性记忆体，其特征在于其包括：一栅介电层，配置于一基底上；一浮置栅极，配置于该栅介电层上；一控制栅极，配置于该浮置栅极上；一栅间介电结构，配置于该控制栅极与该浮置栅极之间，其中该栅间介电结构包括：一第一氧化物层，配置于该浮置栅极上；一第二氧化物层，配置于该第一氧化物层上；及一带电荷氮化物层，配置于该第一氧化物层与该第二氧化物层之间；以及二掺杂区，分别配置于该浮置栅极二侧的该基底中。
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