[发明专利]半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210181065.1 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102891233A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞华;刘恒;卢怡安 | 申请（专利权）人： | 华夏光股份有限公司;财团法人成大研究发展基金会 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;常大军 |
| 地址： | 大开曼岛*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包括一外延结构，外延结构包括一第一型掺杂层、一发光层，及一第二型掺杂层。外延结构可包括一无掺杂层。一基板以一黏着层连接至外延结构的至少一表面上。至少一个或以上的柱体位于黏着层中。多个柱体视其设置的位置可以具有不同的宽度，以及或者柱体可以只设置在外延结构的某些部分之下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，其特征在于，包括：一外延结构，该外延结构包括一第一型掺杂层、一发光层，及一第二型掺杂层；一基板，该基板以一黏着层连接至该外延结构的至少一表面上；以及至少一柱体位于该黏着层中。
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