[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置，其特征在于，包括：

一外延结构，该外延结构包括一第一型掺杂层、一发光层，及一第二型掺杂层；

一基板，该基板以一黏着层连接至该外延结构的至少一表面上；以及

至少一柱体位于该黏着层中。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，该至少一柱体的一高度决定该黏着层的一厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，还包括一无掺杂层于该外延结构中。

4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，该至少一柱体的材质与该基板的材质为相同。

5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，该至少一柱体由一导电性金属制成。

6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，该至少一柱体形成该外延结构的一部分。

7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，还包括一反射层设置于该基板和该黏着层之间。

8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其特征在于，该反射层与该基板的一表面形状一致。

9.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其特征在于，该反射层与该基板的一表面及该至少一柱体形状一致。

10.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其特征在于，还包括至少一接触垫，该接触垫形成于该外延结构的该第一型掺杂层与该第二型掺杂层的其中之一上，其中该至少一柱体只设置于该接触垫之下。

11.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，还包括至少一接触垫，该接触垫形成于该外延结构的该第一型掺杂层与该第二型掺杂层的其中之一上，其中该至少一柱体只设置于该外延结构，而不在有该接触垫的区域之下。

12.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其特征在于，还包括至少一接触垫，该接触垫形成于该外延结构的该第一型掺杂层与该第二型掺杂层的其中之一上，其中设置于该接触垫之下的该至少一柱体的宽度大于未设置于该接触垫之下的该至少一柱体的宽度。

13.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一外延结构于一暂时基板上，该外延结构包括一第一型掺杂层、一发光层，及一第二型掺杂层，其中该外延结构的一第一表面耦合于该暂时基板；

形成至少一柱体于一永久基板的一表面上；

耦合具有该至少一柱体的该永久基板的该表面至具有一黏着层的该外延结构的一第二表面，其中该外延结构的该第二表面与该外延结构的该第一表面相对；以及

从该外延结构的该第一表面移除该暂时基板。

14.根据权利要求13所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，提供一外延结构于一暂时基板上步骤，包括：

形成该外延结构于一第一暂时基板上，以耦合该外延结构的该第二表面至该第一暂时基板；

耦合该暂时基板至该外延结构的该第一表面；以及

从该外延结构移除该第一暂时基板以曝露该外延结构的该第二表面，以提供该外延结构于该暂时基板上。

15.根据权利要求13所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，还包括形成至少一接触垫，该接触垫形成于该外延结构的该第一型掺杂层与该第二型掺杂层的其中之一上，其中该至少一柱体只设置于该接触垫之下。

16.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一外延结构于一暂时基板上，该外延结构包括一第一型掺杂层、一发光层，及一第二型掺杂层，其中该外延结构的一第一表面耦合于该暂时基板；

形成至少一柱体于该外延结构的一第二表面上，其中该外延结构的该第二表面与该外延结构的该第一表面相对；

耦合一永久基板至具有一黏着层的该外延结构的该第二表面；

从该外延结构的该第一表面移除该暂时基板。