[发明专利]电子器件抗辐射加固封装结构在审
| 申请号： | 201210177254.1 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN103456719A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 苏达;郭立达;宿国友;刘明芳;顾华洋;石磊 | 申请（专利权）人： | 上海航天设备制造总厂 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 金家山 |
| 地址： | 200245 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种电子器件抗辐射加固封装结构，该结构包括含铅双马来酰亚胺基体、轻金属薄膜和重金属薄膜，所述轻金属薄膜位于含铅双马来酰亚胺基体上，所述重金属薄膜位于轻金属薄膜上。由于包括轻金属薄膜和重金属薄膜，所以，本发明的电子器件抗辐射加固封装结构的抗辐射性能好，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 辐射 加固 封装 结构 | ||
【主权项】：
电子器件抗辐射加固封装结构，其特征是：包括含铅双马来酰亚胺基体、轻金属薄膜和重金属薄膜，所述轻金属薄膜位于含铅双马来酰亚胺基体上，所述重金属薄膜位于轻金属薄膜上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海航天设备制造总厂，未经上海航天设备制造总厂许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210177254.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
