[发明专利]电子器件抗辐射加固封装结构在审
| 申请号： | 201210177254.1 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN103456719A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 苏达;郭立达;宿国友;刘明芳;顾华洋;石磊 | 申请（专利权）人： | 上海航天设备制造总厂 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 金家山 |
| 地址： | 200245 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 辐射 加固 封装 结构 | ||
1.电子器件抗辐射加固封装结构，其特征是：包括含铅双马来酰亚胺基体、轻金属薄膜和重金属薄膜，所述轻金属薄膜位于含铅双马来酰亚胺基体上，所述重金属薄膜位于轻金属薄膜上。
2.如权利要求1所述的电子器件抗辐射加固封装结构，其特征是：所述含铅双马来酰亚胺基体中铅的质量分数为8%～75%。
3.如权利要求1或2所述的电子器件抗辐射加固封装结构，其特征是：所述含铅双马来酰亚胺基体的厚度是1mm～50mm。
4.如权利要求1所述的电子器件抗辐射加固封装结构，其特征是：所述的轻金属薄膜的厚度为5um～50um。
5.如权利要求1或4所述的电子器件抗辐射加固封装结构，其特征是：所述轻金属薄膜的材质为铝或者钛。
6.如权利要求1所述的电子器件抗辐射加固封装结构，其特征是：所述重金属薄膜的厚度为1um～50um。
7.如权利要求1或3所述的电子器件抗辐射加固封装结构，其特征是：所述重金属薄膜的材质为铅、钨或者钽。
8.如权利要求1所述的电子器件抗辐射加固封装结构，其特征是：所述封装结构还包括高分子粘结剂层，该高分子粘结剂层位于所述双马来酰亚胺基体上且与所述轻金属薄膜相背，所述高分子粘结剂层是聚醚醚酮层或者环氧树脂层。
9.如权利要求1所述的电子器件抗辐射加固封装结构，其特征是：所述轻金属薄膜通过磁控溅射沉积于所述双马来酰亚胺基体上，所述重金属薄膜通过磁控溅射沉积于所述轻金属薄膜上。
10.如权利要求1所述的电子器件抗辐射加固封装结构，其特征是：所述轻金属薄膜的材质是铝且厚度为10或50um，重金属薄膜的材质是钨且厚度为20um。
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