[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括基底和设置在基底上方的超级结区域。超级结区域可以包括交替地设置的掺杂类型不同的多个柱。超级结区域的所述多个柱中的一个柱可具有沿半导体装置的垂直方向从底部至顶部逐渐减小然后逐渐增大的掺杂浓度。

主权项

一种半导体装置，所述半导体装置具有超级结结构，所述半导体装置包括：基底；超级结区域，超级结区域设置在基底上方，超级结区域包括交替地设置的第一掺杂类型柱和第二掺杂类型柱，其中，超级结区域的第一掺杂类型柱中的一个柱具有沿垂直方向从第一掺杂类型柱中的所述一个柱的底部至最低浓度的区域逐渐减小然后至第一掺杂类型柱中的所述一个柱的顶部逐渐增大的掺杂浓度，其中，所述半导体装置的电场的幅度沿垂直方向从第一掺杂类型柱中的所述一个柱的上部区域中的最大幅度的区域至最小幅度的区域逐渐减小并从最小幅度的区域至第一掺杂类型柱中的所述一个柱的下部区域中的最大幅度的区域逐渐增大，使得第一掺杂类型柱中的所述一个柱的上部区域中的最大幅度的区域至最小幅度的区域距离大于最小幅度的区域至下部区域中的最大幅度的区域的距离。