[发明专利]一种FINFET动态随机存储器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201210161290.9 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102683418A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘立滨;梁仁荣;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了FINFET动态随机存储器单元及其制备方法，该FINFET动态随机存储器单元包括衬底，体区，源极、漏极，鳍，源极金属层，漏极金属层，栅介质层，栅极和钝化层。本发明的FINFET动态随机存储器单元将产生的载流子存储在晶体管下方的体区中，利用晶体管的衬底偏置效应，通过调制器件体区内的电荷，使器件的阈值电压发生变化以达到存储信息的目的，其原理简单，能够获得较快的速度，在数据读取的过程中，不会破坏存储在体区内的电荷，提高了最大刷新时间，其采用FinFET结构，提高了读取和写入效率。本发明的制备方法工艺简单并且与传统的CMOS工艺兼容，其形成的动态随机存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 动态 随机 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种FINFET动态随机存储器单元，其特征在于，包括：衬底；体区，所述体区形成在所述衬底之上；源极、漏极和鳍，所述源极、漏极和鳍形成在所述体区之上，所述鳍位于源极与漏极之间；源极金属层和漏极金属层，所述源极金属层形成在所述源极之上，所述漏极金属层形成在所述漏极之上；栅介质层和栅极，所述栅介质层形成在所述鳍之上，所述栅极形成在所述栅介质之上；钝化层，所述钝化层形成在未被所述源极、漏极和鳍覆盖的体区之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210161290.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
