[发明专利]一种FINFET动态随机存储器单元及其制备方法

权利要求书

1.一种FINFET动态随机存储器单元，其特征在于，包括：

衬底；

体区，所述体区形成在所述衬底之上；

源极、漏极和鳍，所述源极、漏极和鳍形成在所述体区之上，所述鳍位于源极与漏极之间；

源极金属层和漏极金属层，所述源极金属层形成在所述源极之上，所述漏极金属层形成在所述漏极之上；

栅介质层和栅极，所述栅介质层形成在所述鳍之上，所述栅极形成在所述栅介质之上；

钝化层，所述钝化层形成在未被所述源极、漏极和鳍覆盖的体区之上。

2.如权利要求1所述的FINFET动态随机存储器单元，其特征在于，在所述衬底和体区之间形成有埋层，所述埋层为绝缘材料形成。

3.如权利要求1所述的FINFET动态随机存储器单元，其特征在于，所述衬底之下形成有衬底电极。

4.一种FINFET动态随机存储器单元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供衬底；

S2：在所述衬底上形成体区；

S3：在所述体区上形成隔离层；

S4：光刻，刻蚀所述隔离层直至所述体区暴露；

S5：在步骤S4暴露的体区上形成外延层，在所述外延层上形成源极、漏极和鳍；

S6：在所述鳍上形成栅介质层，在所述栅介质层上形成栅极；

S7：在所述源极上形成源极金属层，在所述漏极上形成漏极金属层。

5.如权利要求4所述的FINFET动态随机存储器单元的制备方法，其特征在于，在步骤S1之后具有以下步骤：在所述衬底上形成埋层，所述体区形成在所述埋层之上，所述埋层为绝缘材料形成。

6.如权利要求4所述的FINFET动态随机存储器单元的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：在所述衬底之下形成衬底电极。

7.如权利要求4所述的FINFET动态随机存储器单元的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，所述隔离层为体区靠近上表层的部分氧化而成，所述隔离层的厚度为5nm-100nm。

8.如权利要求4所述的FINFET动态随机存储器单元的制备方法，其特征在于，在步骤S5和S6之间还具有以下步骤：

S51：光刻，刻蚀所述隔离层和体区直至暴露所述埋层；

S52：形成钝化层，所述钝化层形成在未被所述埋层和隔离层覆盖的所有区域之上；

S53：光刻，刻蚀所述鳍上的钝化层形成栅堆叠窗口，所述栅介质层和栅极形成在所述栅堆叠窗口之上。

9.如权利要求8所述的FINFET动态随机存储器单元的制备方法，其特征在于，所述钝化层是将未被所述埋层和隔离层覆盖的区域的靠近上表层的部分氧化而成。