[发明专利]半导体外延生长衬底无效
| 申请号： | 201210159669.6 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102856451A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 彭晖 | 申请（专利权）人： | 张涛;彭晖 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00;C30B19/12;C30B23/00;C30B25/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种划分成子区域的生长衬底，包括：生长衬底，形成在生长衬底第一主表面上的沟槽，氧化覆盖物或氮化覆盖物形成在沟槽中，沟槽把生长衬底分隔成至少两个子区域。沟槽的俯视形状包括，直线形状、圆弧形、曲线形、不规则形状。子区域的形状包括，三角形、正方形、长方形、平行四边形、五边形、六边形、八边形、圆形、环形、不规则形状、不规则环形状，以及上述形状的组合。沟槽的宽度大于等于2倍的预计的后续生长的外延层的厚度。生长衬底进一步包括边缘沟槽，边缘沟槽形成在生长衬底的圆周的边缘。边缘沟槽的形状包括圆环形状和不规则形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 生长 衬底 | ||
【主权项】：
一种划分成子区域的生长衬底，包括：生长衬底，所述的生长衬底的第一主表面具有沟槽，在所述的沟槽中具有氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，所述的氧化物覆盖层或氮化物覆盖层覆盖所述的沟槽的底面，所述的沟槽把所述的生长衬底分隔成至少两个子区域，在每个所述的子区域，所述的生长衬底的第一主表面暴露。
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