[发明专利]一种肖特基器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210151837.7 | 申请日： | 2012-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN103383969B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基器件，本发明的半导体器件具有沟槽结构的终端，简化了器件的制造流程，并且将结终端延伸结构引入到沟槽结构中，使得器件具有良好反向阻断特性。本发明还提供了一种肖特基器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；沟槽结构，沟槽位于器件边缘漂移层中，沟槽结构为具有双面侧壁的整个沟槽结构，沟槽内壁表面有氧化物绝缘材料，器件漂移层上表面不设置有绝缘材料，临靠沟槽底部区域设置有第二传导类型半导体材料，第二传导类型半导体材料不与器件漂移层上表面接触，沟槽底部的第二传导类型半导体材料为结终端延伸电荷补偿结构，在器件反向偏压时形成完全耗尽区域；肖特基势垒结，位于沟槽结构包裹的漂移层表面。
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