[发明专利]一种肖特基器件及其制备方法

权利要求书

1.一种肖特基器件，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；

沟槽结构，沟槽位于器件边缘漂移层中，沟槽结构为具有双面侧壁的整个沟槽结构，沟槽内壁表面有氧化物绝缘材料，器件漂移层上表面不设置有绝缘材料，临靠沟槽底部区域设置有第二传导类型半导体材料，第二传导类型半导体材料不与器件漂移层上表面接触，沟槽底部的第二传导类型半导体材料为结终端延伸电荷补偿结构，在器件反向偏压时形成完全耗尽区域；

肖特基势垒结，位于沟槽结构包裹的漂移层表面。

2.如权利要求1所述的一种肖特基器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层上通过外延生长形成第一传导类型的半导体材料层；

2)在表面形成氮化硅层，在待形成沟槽区域表面去除氮化硅层；

3)进行刻蚀半导体材料，形成沟槽，沟槽位于第一传导类型的半导体材料层中；

4)注入杂质，进行退火氧化工艺，形成沟槽内壁氧化物和沟槽底部第二导电半导体材料；

5)腐蚀去除器件表面氮化硅层；

6)在器件表面淀积金属，进行烧结形成肖特基势垒结。