[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210135812.8 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102856301A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 吉泽和隆;江间泰示 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体元件，形成在半导体衬底上；第一金属环，环绕半导体元件；绝缘膜，形成为覆盖半导体元件，并在其中布置有第一金属环；以及凹槽，形成在绝缘膜中，其中，通过以如下方式叠置多个金属层来形成第一金属环，所述方式即，使得多个金属层的各自的外侧侧面彼此齐平，或者使得放置在下方金属层上方的多个金属层的每一个的外侧侧面比该下方金属层的外侧侧面放置得更加靠近内侧；以及该凹槽具有第一底部，该第一底部被布置在第一金属环的内侧，并延伸至第一金属环的最上层金属层的上表面的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体元件，形成在所述半导体衬底上；第一金属环，环绕所述半导体元件；绝缘膜，形成为覆盖所述半导体元件，并且其中布置有所述第一金属环；以及凹槽，形成在所述绝缘膜中；其中：所述第一金属环是通过以如下方式叠置多个金属层而形成的，所述方式即，使得所述多个金属层的各自的外侧侧面彼此齐平，或者使得放置在下方金属层上方的所述多个金属层的每一个的外侧侧面比所述下方金属层的外侧侧面放置得更加靠近内侧；以及所述凹槽具有第一底部，所述第一底部被布置在所述第一金属环的内侧，并延伸至所述第一金属环的最上层金属层的上表面的深度。
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