[发明专利]半导体存储器件及其驱动方法有效
申请号: | 201210132459.8 | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN103035284B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 宋清基 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 郭放,许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体存储器件及其驱动方法,所述半导体存储器件包括多个地址输入模块,所述多个地址输入模块被配置成分别接收与突发排序相关的多个地址;以及控制电路,所述控制电路被配置成在写入操作模式期间响应于突发长度信息而选择性地将所述地址输入模块的全部或一部分禁止。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:多个地址输入缓冲器,所述多个地址输入缓冲器被配置成分别接收与突发排序相关的多个地址;以及控制电路,所述控制电路被配置成在写入操作模式期间响应于突发长度信息而选择性地将所述地址输入缓冲器的全部或一部分禁止。
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