[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210122112.5 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103378103A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 曾俊元;黄骏扬;吴明锜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李鹤松 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非挥发性存储器及其制造方法。上述非挥发性存储器包括一下导电层；一电阻转态复合层，设置于上述下导电层上，上述电阻转态复合层包括：具有一第一层数的第一氧化物原子层；具有一第二层数的第二氧化物原子层，设置于上述些第一氧化物原子层上；一上导电层，设置于上述电阻转态复合层上。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非挥发性存储器，其特征在于，所述非挥发性存储器包括：一下导电层；一电阻转态复合层，设置于所述下导电层上，所述电阻转态复合层包括：具有一第一层数的第一氧化物原子层；具有一第二层数的第二氧化物原子层，设置于所述这些第一氧化物原子层上；以及一上导电层，设置于所述电阻转态复合层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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