[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器，其特征在于，所述非挥发性存储器包括：

一下导电层；

一电阻转态复合层，设置于所述下导电层上，所述电阻转态复合层包括：

具有一第一层数的第一氧化物原子层；

具有一第二层数的第二氧化物原子层，设置于所述这些第一氧化物原子层上；以及

一上导电层，设置于所述电阻转态复合层上。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述非挥发性存储器更包括：

一基板，设置于所述下导电层的下方；以及

一绝缘层，设置于所述下导电层和所述基板之间。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述电阻转态复合层为一氧化铪与氧化铝混合氧化物，化学式为HfxAlyO，其中x和y大于0且小于1。

4.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第一层数和所述第二层数皆为大于等于1的整数。

5.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第一氧化物原子层或第二氧化物原子层包括二氧化铪、氧化铝、二氧化钛、二氧化锆、氧化锡与氧化锌。

6.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第一氧化物原子层和第二氧化物原子层为不同的材料。

7.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述电阻转态复合层的厚度介于1纳米和100纳米之间。

8.一种非挥发性存储器的制造方法，其特征在于，所述非挥发性存储器的制造方法包括下列步骤：

提供一基板；

于所述基板上形成一下导电层；

进行具有一第一制造工艺循环次数的第一原子层沉积制造工艺，以于所述下导电层上形成具有一第一层数的第一氧化物原子层；

进行具有一第二制造工艺循环次数的一第二原子层沉积制造工艺，于所述这些第一氧化物原子层上形成具有一第二层数的第二氧化物原子层，所述这些第一氧化物原子层和所述这些第二氧化物原子层是共同制成一电阻转态复合层；以及

于所述电阻转态复合层上形成一上导电层。

9.如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其特征在于，所述电阻转态复合层为一氧化铪与氧化铝混合氧化物，化学式为HfxAlyO，其中x和y大于0且小于1。

10.如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其特征在于，所述第一制造工艺循环次数和所述第二制造工艺循环次数皆为大于等于1的整数。

11.如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其特征在于，所述第一氧化物原子层或第二氧化物原子层包括二氧化铪、氧化铝、二氧化钛、二氧化锆、氧化锡与氧化锌。

12.如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其特征在于，所述第一氧化物原子层和第二氧化物原子层为不同的材料。