[发明专利]氮化物半导体元件形成用晶片及其制造方法、氮化物半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210120722.1 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102751412A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 渡边浩崇;小河淳;冈崎舞;木下多贺雄 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体元件形成用晶片及其制造方法、氮化物半导体元件及其制造方法。氮化物半导体元件形成用晶片通过在基板上依次层叠基底层、第一导电型氮化物半导体层、有源层及第二导电型氮化物半导体层而构成。基板由与氮化物半导体元件材料不同的材料构成。而且，基底层和第一导电型氮化物半导体层中至少一方的膜厚在基板的中央侧和基板的周边侧不同。氮化物半导体元件使用氮化物半导体元件形成用晶片制作。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 形成 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体元件形成用晶片，其用于形成氮化物半导体元件，其特征在于，具有：基板、设置在所述基板上的基底层、设置在所述基底层上的第一导电型氮化物半导体层、设置在所述第一导电型氮化物半导体层上的有源层、设置在所述有源层上的第二导电型氮化物半导体层，所述基板由与氮化物半导体材料不同的材料构成，所述基底层和所述第一导电型氮化物半导体层中至少一方的膜厚在所述基板的中央侧和所述基板的周边侧不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210120722.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种复合式耐高温坩埚
- 下一篇：一种电解清洗槽电极板
