[发明专利]氮化物半导体元件形成用晶片及其制造方法、氮化物半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体元件形成用晶片，其用于形成氮化物半导体元件，其特征在于，具有：

基板、

设置在所述基板上的基底层、

设置在所述基底层上的第一导电型氮化物半导体层、

设置在所述第一导电型氮化物半导体层上的有源层、

设置在所述有源层上的第二导电型氮化物半导体层，

所述基板由与氮化物半导体材料不同的材料构成，

所述基底层和所述第一导电型氮化物半导体层中至少一方的膜厚在所述基板的中央侧和所述基板的周边侧不同。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体元件形成用晶片，其特征在于，所述基底层和所述第一导电型氮化物半导体层中至少一方的膜厚从所述基板的周边侧向所述基板的中央侧逐渐增大。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体元件形成用晶片，其特征在于，所述基底层的膜厚在所述基板的中央侧和所述基板的周边侧不同，

所述基底层的平均膜厚在9μm以下。

4.如权利要求3所述的氮化物半导体元件形成用晶片，其特征在于，所述基底层的膜厚最大值和所述基底层的膜厚最小值之差在0.8μm以下。

5.如权利要求1所述的氮化物半导体元件形成用晶片，其特征在于，所述基板的直径在4英寸以上。

6.一种氮化物半导体元件，其特征在于，使用权利要求1所述的氮化物半导体元件形成用晶片制造该氮化物半导体元件。

7.一种氮化物半导体元件形成用晶片的制造方法，其制造用于形成氮化物半导体元件的晶片，其特征在于，具有：

在基板上形成基底层的工序，

在所述基底层上形成第一导电型氮化物半导体层的工序，

在所述第一导电型氮化物半导体层上形成有源层的工序，

在所述有源层上形成第二导电型氮化物半导体层的工序；

作为所述基板，使用由与氮化物半导体材料不同的材料构成的基板；

将所述基底层和所述第一导电型氮化物半导体层中至少一方形成为膜厚在所述基板的中央侧和所述基板的周边侧不同。

8.如权利要求7所述的氮化物半导体元件形成用晶片的制造方法，其特征在于，将所述基底层和所述第一导电型氮化物半导体层中至少一方形成为膜厚从所述基板的周边侧向所述基板的中央侧逐渐增大。

9.如权利要求7所述的氮化物半导体元件形成用晶片的制造方法，其特征在于，在形成所述基底层的工序中，

使用原料气体和载体气体形成所述基底层；

控制所述载体气体的流量将所述基底层形成为膜厚在所述基板的中央侧和所述基板的周边侧不同。

10.如权利要求7所述的氮化物半导体元件形成用晶片的制造方法，其特征在于，在形成所述基底层的工序中，

使用原料气体和载体气体形成所述基底层；

控制所述原料气体的浓度将所述基底层形成为膜厚在所述基板的中央侧和所述基板的周边侧不同。

11.如权利要求7所述的氮化物半导体元件形成用晶片的制造方法，其特征在于，在形成所述基底层的工序中，

将所述基底层形成为膜厚在所述基板的中央侧和所述基板的周边侧不同，

所述基底层的平均膜厚在9μm以下。

12.如权利要求11所述的氮化物半导体元件形成用晶片的制造方法，其特征在于，在形成所述基底层的工序中，所述基底层的膜厚最大值和所述基底层的膜厚最小值之差在0.8μm以下。

13.如权利要求7所述的氮化物半导体元件形成用晶片的制造方法，其特征在于，作为所述基板，使用直径在4英寸以上的基板。

14.一种氮化物半导体元件的制造方法，其使用通过权利要求7所述的方法制作的氮化物半导体元件形成用晶片制造氮化物半导体元件，其特征在于，具有：

分别除去所述第二导电型氮化物半导体层和所述有源层的一部分以使所述第一导电型氮化物半导体层的一部分露出的工序；

在所述第一导电型氮化物半导体层所露出的表面上形成第一导电侧的外部连接用电极，在所述第二导电型氮化物半导体层上形成第二导电侧的外部连接用电极的工序；

对形成有所述基底层、所述第一导电型氮化物半导体层、所述有源层及所述第二导电型氮化物半导体层的基板进行单片化的工序。