[发明专利]具有金属栅极的CMOS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210115586.7 | 申请日： | 2012-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103178012A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 钟升镇;朱鸣;庄学理;杨宝如;吴伟成;梁家铭;吴欣桦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括形成PMOS器件。该方法包括：在半导体衬底的上方和PMOS区中形成栅极介电层；在栅极介电层的上方和PMOS区中形成第一含金属层；使用含氧工艺气体对PMOS区的第一含金属层实施处理；并且在第一含金属层的上方和PMOS区中形成第二含金属层。第二含金属层具有低于硅的带隙中心功函数的功函数。第一含金属层和第二含金属层形成PMOS器件的栅极。本发明还提供一种具有金属栅极的CMOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 栅极 cmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成P‑型金属‑氧化物‑半导体(PMOS)器件，包括：在半导体衬底上方和PMOS区中形成栅极介电层；在所述栅极介电层的上方和所述PMOS区中形成第一含金属层；使用含氧工艺气体对位于所述PMSO区中的所述第一含金属层实施处理；以及在所述第一含金属层上方和所述PMOS区中形成第二含金属层，其中，所述第二含金属层具有低于硅的带隙中心功函数的功函数，并且其中，所述第一含金属层和所述第二含金属层形成所述PMOS器件的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
