[发明专利]多栅极介电结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210115555.1 | 申请日： | 2012-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102931203A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 曾晓晖;杨敦年;刘人诚;许文义;高敏峰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了多栅极介电半导体结构以及形成这种结构的方法。在一个实施例中，一种用于形成半导体结构的方法包括提供包括像素阵列区域、输入/输出(I/O)区域、以及核心区域的衬底。该方法进一步包括在像素阵列区域上方形成第一栅极介电层，在I/O区域上方形成第二栅极介电层，并且在核心区域上方形成第三栅极介电层，其中，第一栅极介电层、第二栅极介电层、以及第三栅极介电层中的每一个都被形成为由不同的材料构成并且具有不同的厚度。本发明还提供了一种多栅极介电结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底，包括像素阵列区域、输入/输出(I/O)区域、以及核心区域；第一栅极介电层，设置在所述像素阵列区域上方；第二栅极介电层，设置在所述I/O区域上方；第三栅极介电层，设置在所述核心区域上方，其中，所述第一栅极介电层、所述第二栅极介电层、以及所述第三栅极介电层中的每一个都由不同的材料构成，并且每一个都具有不同的厚度；以及栅电极，设置在所述第一栅极介电层、所述第二栅极介电层、以及所述第三栅极介电层中的每一个的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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