[发明专利]半导体元件背面铜金属的改良结构及其加工方法

摘要

本发明公开一种半导体元件背面铜金属的改良结构及其加工方法，其中前述改良结构由上而下依序包括有一主动层、一基板、一背面金属种子层、至少一热膨胀缓冲层、一金属层以及至少一抗氧化金属层，其中该背面金属种子层的材料为钯(Pd)，且其中该热膨胀缓冲层的热膨胀系数是介于该背面金属种子层以及该背面金属层之间。运用本发明的结构，可以使半导体芯片具有耐高温操作的特性；其背面的各金属结构层在通过高温测试后，仍维持其结构的完整性，且不易产生空隙及裂痕，有效增强芯片的耐高温操作特性。

主权项

一种半导体元件背面铜金属的改良结构，其特征在于，其包括有：一基板；一主动层，是形成于该基板正面，且该主动层包含有至少一集成电路；一背面金属种子层，是形成于该基板的背面，且该背面金属种子层的材料为钯；至少一热膨胀缓冲层，是形成于该背面金属种子层的下方；以及一背面金属层，是形成于该热膨胀缓冲层的下方，且该背面金属层的材料为铜；其中该热膨胀缓冲层的热膨胀系数是介于该背面金属种子层以及该背面金属层之间。