[发明专利]掺杂区的制作方法无效
| 申请号： | 201210109072.0 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103377888A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂区的制作方法，其步骤包括：提供半导体基底，且半导体基体包括至少一沟槽。接着，形成介电层完全覆盖沟槽以及形成保护层部分覆盖沟槽，且介电层位于保护层以及沟槽之间。然后，在沟槽中形成含掺杂剂的导电层以及进行退火工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 制作方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂区的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，且所述半导体基体包括至少一沟槽；形成介电层于所述半导体基底上，且所述介电层完全覆盖所述沟槽；形成保护层部分覆盖所述沟槽，且所述介电层位于所述保护层以及所述沟槽之间；在所述沟槽中形成含掺杂剂的导电层；以及进行退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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