[发明专利]掺杂区的制作方法无效
| 申请号： | 201210109072.0 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103377888A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 制作方法 | ||
1.一种掺杂区的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，且所述半导体基体包括至少一沟槽；
形成介电层于所述半导体基底上，且所述介电层完全覆盖所述沟槽；
形成保护层部分覆盖所述沟槽，且所述介电层位于所述保护层以及所述沟槽之间；
在所述沟槽中形成含掺杂剂的导电层；以及
进行退火工艺。
2.根据权利要求1所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，所述介电层未填满所述沟槽。
3.根据权利要求1所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，所述介电层的材料与所述保护层的材料不同。
4.根据权利要求1所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，所述介电层为硅氧层，所述保护层为氮化硅层。
5.根据权利要求1所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，所述沟槽包含一弧状底面。
6.根据权利要求1所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，所述保护层仅仅覆盖住所述沟槽的侧壁，而不覆盖所述沟槽的底面。
7.根据权利要求6所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，所述导电层重叠所述保护层未覆盖的所述沟槽的底面。
8.根据权利要求1所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，所述保护层未重叠位于所述沟槽两侧的半导体基底的表面。
9.根据权利要求1所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，所述导电层未完全填满所述沟槽。
10.根据权利要求1所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，在形成所述保护层之后，形成所述导电层的方法包括：
形成导电物质层填入所述沟槽；以及
对所述导电物质层进行离子注入工艺。
11.根据权利要求10所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，形成所述导电层的方法，还包括：
移除部份导电物质层，使导电物质层未重叠位于所述沟槽两侧的半导体基底的表面。
12.根据权利要求1所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，所述导电层包括一P型掺杂剂。
13.根据权利要求1所述的掺杂区的制作方法，其特征在于，在进行退火工艺之后，形成掺杂区环绕所述沟槽的底面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
