[发明专利]一种金属半导体电荷补偿的半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210106520.1 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103367438B | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属半导体电荷补偿的半导体装置，通过沟槽结构，可以实现较深的条状半导体硅材料，当器件接反向偏压时，条状的半导体材料和金属材料形成电荷补偿，改变漂移区的电场强度分布，形成平坦的电场强度分布曲线；本发明还提供‑种金属半导体电荷补偿的半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 半导体 电荷 补偿 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属半导体电荷补偿的半导体装置，其特征在于：包括：多个沟槽，位于第一导电半导体材料表面和第二导电半导体材料漂移层中，第二导电半导体材料漂移层位于第一导电半导体材料下部，第二导电半导体材料衬底层位于第二导电半导体材料漂移层下部；绝缘介质，位于沟槽内；金属与半导体材料烧结形成的化合物，位于沟槽侧壁，在半导体材料和绝缘介质之间；PN结，位于沟槽之间，由沟槽之间半导体材料的第一导电半导体材料和第二导电半导体材料构成，第一导电半导体材料临靠器件表面；欧姆接触区，位于第一导电半导体材料表面。
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