[发明专利]一种金属半导体电荷补偿的半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种金属半导体电荷补偿的半导体装置，其特征在于：包括：

多个沟槽，位于第一导电半导体材料表面和第二导电半导体材料漂移层中，第二导电半导体材料漂移层位于第一导电半导体材料下部，第二导电半导体材料衬底层位于第二导电半导体材料漂移层下部；

绝缘介质，位于沟槽内；

金属与半导体材料烧结形成的化合物，位于沟槽侧壁，在半导体材料和绝缘介质之间；

PN结，位于沟槽之间，由沟槽之间半导体材料的第一导电半导体材料和第二导电半导体材料构成，第一导电半导体材料临靠器件表面；

欧姆接触区，位于第一导电半导体材料表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽底部包括设置金属与半导体材料烧结形成的化合物。

3.如权利要求1所述的一种金属半导体电荷补偿的半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在半导体材料衬底上的半导体材料漂移层的表面形成一种绝缘介质；

2)进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分绝缘介质，注入导电杂质，然后热退火；

3)腐蚀表面部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；

4)在沟槽侧壁形成金属薄膜；

5)在沟槽内形成绝缘介质，腐蚀去除表面绝缘介质；

6)在半导体材料表面淀积金属，形成上表面金属层，进行背面金属化工艺，在背面形成下表面金属层。