[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 201210105161.8 申请日: 2005-12-30
公开(公告)号: CN102629488A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 长田健一;河原尊之 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G11C5/14;G11C8/08
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 曲瑞
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种半导体装置,为提高相变元件的可靠性,必须使无用的电流不流过元件。该半导体装置具有通过利用所施加的温度使状态变化来存储信息的存储器单元和输入输出电路,在通电时,在电源电路上升之前断开字线。根据本发明,可以防止无用的电流流过元件,从而可防止数据的破坏。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,根据地址访问存储器单元,其特征在于:所述地址包含行地址和列地址,所述半导体装置具有:存储器阵列,包含沿第1方向延伸的多条字线、与所述多条字线交叉并沿第2方向延伸的多条位线、和配置在所述多条字线和所述多条位线的交点处的多个存储器单元;多个字驱动器电路,分别连接在所述多条字线上;列选择电路,连接在所述多条位线上,选择所述多条位线的一部分后使之连接在多个读出电路和多个写入电路上;地址保持电路,存储与前一次访问周期有关的行地址和列地址;和地址比较电路,其中,所述字线对所述行地址进行解码后被选择,所述列选择电路对所述列地址进行解码后被选择,所述地址比较电路将与本次访问周期有关的行地址和列地址与保持在所述地址保持电路中的所述行地址和所述列地址相比较,所述多个存储器单元分别被构成为具有在所述多条位线中相对应的1条位线上相互串联连接的选择元件和存储元件,所述选择元件的控制电极连接在所述多条字线中相对应的1条字线上,所述存储元件通过电阻值的变化来存储数据,在连续的读出访问周期中,在所述地址比较电路检测出与本次访问周期有关的行地址和列地址都和与前次访问周期有关的行地址和列地址相等的情况下,不接通所述字线。
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