[发明专利]一种PSS图形的相移掩膜版及其制备方法

摘要

本发明涉及一种PSS图形的相移掩膜版，包括透明光刻板基底、在透明光刻板基底的一面蒸镀有不透光图形层，所述不透光图形层上均匀贯穿设置有直径范围是0.3-0.5μm的圆孔，相邻圆孔的间距为0.3-0.5μm，其中一部分圆孔露出透明光刻板基底，形成0°相移膜图形，另一部分圆孔内设置有相移图形层，形成180°相移膜图形；其中透过透明光刻板基底的光和透过相移图形层的光之间的相位差180°。本发明的优点：制备掩膜方法简单；其中0°相移图形层采用石英玻璃，而奇数倍的180°相移图形层为和0°相移图形层所对应的圆孔的孔径大小统一。利用本发明制成的发光芯片分辨率及光强均得到提高，其中光强提高5％以上。

主权项

一种PSS图形的相移掩膜版，包括透明光刻板基底、在透明光刻板基底的一面蒸镀有不透光图形层，其特征在于，所述不透光图形层上均匀贯穿设置有直径范围是0.3‑0.5μm的圆孔，相邻圆孔的间距为0.3‑0.5μm，其中一部分圆孔露出透明光刻板基底，形成0°相移膜图形，另一部分圆孔内设置有相移图形层，形成180°相移膜图形；其中透过透明光刻板基底的光和透过相移图形层的光之间的相位差180°。