[发明专利]一种核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料的制备方法无效
申请号: | 201210080943.0 | 申请日: | 2012-03-22 |
公开(公告)号: | CN102623552A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 龙飞;高洁;邹正光 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0328 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 541004 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料的制备方法。该半导体复合材料化学组成通式为:MxAy/NzAw,按预期产物的摩尔配比称取金属盐、硫源和(或)硒源;将称取的原料磁力搅拌溶于溶剂倒入常压开放式反应器,升温至额定温度后保温额定时间,产物经过离心、洗涤、真空干燥后得核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料。所述溶剂为乙二胺、乙二醇和水合肼的一种或两种;所述金属盐为Cu盐、In盐和Ga盐中的两种或多种;所述硫源为CH4N2S;所述硒源为Se粉或亚硒酸。本发明成本低、装置简单、反应速度快、反应过程可控性和可干预性强,可更灵活控制整个反应合成过程从而形成特定结构、成份和物相组合的目标产物。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 金属 硫硒化物 半导体 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料的制备方法,其特征在于所述核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料化学组成通式为:MxAy/NzAw,其中M为Cu、In和Ga中的一种或两种,N为Cu、In、Ga中不同于M的一种,A为Se或S中的一种或两种,x除以y等于0.5~2,z除以w等于0.5~2;上述核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料的制备方法具体步骤为:按照目标产物的摩尔配比称取金属盐、硫源和/或硒源;将称取的原料磁力搅拌溶于溶剂,溶剂的量为使上述原料完全溶解且溶剂体积不超过反应器容积的2/3,混合均匀后将混合液倒入能加热搅拌的常压开放式反应器,升温至100~160℃后保温0.5~3小时;期间根据目标产物结构多次添加反应物,采用不同的保温温度;所得产物经过蒸馏水和无水乙醇离心洗涤2~3次,然后在70~90℃下的真空干燥箱内干燥7~9小时得目标产物;目标产物的化学组成由加入原料配比控制,其结构由添加原料的顺序和合成温度的控制共同决定;所述溶剂为乙二胺、乙二醇和水合肼的一种或两种;所述金属盐为Cu盐、In盐和Ga盐中的两种或3种;所述硫源为CH4N2S;所述硒源为Se粉或亚硒酸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林理工大学,未经桂林理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210080943.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种集装箱式橇装加油和/或加气装置
- 下一篇:平板整体式太阳能干燥器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的