[发明专利]一种核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料的制备方法，其特征在于所述核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料化学组成通式为：M_xA_y/N_zA_w，其中M为Cu、In和Ga中的一种或两种，N为Cu、In、Ga中不同于M的一种，A为Se或S中的一种或两种，x除以y等于0.5～2，z除以w等于0.5～2；

上述核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料的制备方法具体步骤为：

按照目标产物的摩尔配比称取金属盐、硫源和/或硒源；将称取的原料磁力搅拌溶于溶剂，溶剂的量为使上述原料完全溶解且溶剂体积不超过反应器容积的2/3，混合均匀后将混合液倒入能加热搅拌的常压开放式反应器，升温至100～160℃后保温0.5～3小时；期间根据目标产物结构多次添加反应物，采用不同的保温温度；所得产物经过蒸馏水和无水乙醇离心洗涤2～3次，然后在70～90℃下的真空干燥箱内干燥7～9小时得目标产物；目标产物的化学组成由加入原料配比控制，其结构由添加原料的顺序和合成温度的控制共同决定；

所述溶剂为乙二胺、乙二醇和水合肼的一种或两种；

所述金属盐为Cu盐、In盐和Ga盐中的两种或3种；

所述硫源为CH₄N₂S；

所述硒源为Se粉或亚硒酸。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于所制得的核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料中有两相，两相通过核壳结构的方式均匀混和形成纳米～亚微米尺度的半导体复合材料。