[发明专利]像素结构及其制作方法

摘要

本发明提出一种像素结构及其制作方法。该制作方法包括，首先，在基板上形成第一图案化金属层，包括扫描线以及栅极。再于第一图案化金属层上依序形成第一绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡图案以及金属层。接着，图案化此金属层和半导体层以形成第二图案化金属层和图案化半导体层。第二图案化金属层包括数据线、源极与漏极。图案化半导体层包括完全重叠于第二图案化金属层的第一半导体图案以及不重叠于第二图案化金属层的第二半导体图案，其中第二半导体图案包括位于源极与漏极之间的通道图案以及包围第一半导体图案的边缘图案。

主权项

一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：在一基板上形成一第一图案化金属层，该第一图案化金属层包括一扫描线以及连接于该扫描线的一栅极；在该第一图案化金属层上依序地形成一第一绝缘层、一半导体层以及一蚀刻阻挡图案，该蚀刻阻挡图案位于该栅极上方；在该半导体层以及该蚀刻阻挡图案上形成一金属层；图案化该金属层以及该半导体层以形成一第二图案化金属层以及一图案化半导体层，该第二图案化金属层包括一数据线、一源极与一漏极，该数据线的延伸方向与该扫描线的延伸方向相交，该源极与该漏极彼此相对并位于该蚀刻阻挡图案上，该图案化半导体层包括完全地重叠于该第二图案化金属层的一第一半导体图案以及不重叠于该第二图案化金属层的一第二半导体图案，其中该第二半导体图案包括位于该源极与该漏极之间的一通道图案以及包围该第一半导体图案的一边缘图案；该基板上形成一第二绝缘层并于该第二绝缘层上形成暴露出该漏极的一接触开口；以及在该第二绝缘层上形成一像素电极，且该像素电极透过该接触开口连接至该漏极。