[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210065168.1 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103311280A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;李春龙;罗军;钟汇才;梁擎擎;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一示例，半导体器件可以包括：沿第一方向延伸的鳍，鳍包括相对的第一端部和第二端部以及连接第一端部和第二端部的相对的第一侧面和第二侧面；沿与第一方向交叉的第二方向延伸且与鳍相交的栅电极；贯穿鳍和栅电极的通孔，通孔位于第一端部和第二端部之间，且位于第一侧面与第二侧面之间；源区和漏区，分别形成于鳍的第一端部和第二端部；形成于通孔中的导电接触部，该导电接触部与鳍电隔离，且与栅极电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：沿第一方向延伸的鳍，鳍包括相对的第一端部和第二端部以及连接第一端部和第二端部的相对的第一侧面和第二侧面；沿与第一方向交叉的第二方向延伸且与鳍相交的栅电极；贯穿鳍和栅电极的通孔，通孔位于第一端部和第二端部之间，且位于第一侧面与第二侧面之间；源区和漏区，分别形成于鳍的第一端部和第二端部；形成于通孔中的导电接触部，该导电接触部与鳍电隔离，且与栅极电接触。
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