[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沿第一方向延伸的鳍，鳍包括相对的第一端部和第二端部以及连接第一端部和第二端部的相对的第一侧面和第二侧面；

沿与第一方向交叉的第二方向延伸且与鳍相交的栅电极；

贯穿鳍和栅电极的通孔，通孔位于第一端部和第二端部之间，且位于第一侧面与第二侧面之间；

源区和漏区，分别形成于鳍的第一端部和第二端部；

形成于通孔中的导电接触部，该导电接触部与鳍电隔离，且与栅极电接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，该半导体器件形成于绝缘体上半导体(SOI)衬底上，所述SOI衬底包括第一半导体层、形成于第一半导体层上的绝缘体层和形成于绝缘体层上的第二半导体层，其中所述鳍由第二半导体层形成。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极和源、漏区包括金属硅化物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，通孔将栅电极分成两部分，且导电接触部与这两部分栅电极均电接触。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅电极包括形成于鳍的第一侧面和第二侧面上的栅介质层以及栅导体层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述栅介质层是通过对鳍的第一侧面和第二侧面进行热氧化得到的氧化物。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括形成于鳍上沿第一侧面和第二侧面延伸的第一侧墙。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括第二侧墙，第二侧墙形成在栅电极沿第二方向延伸的侧面上，且至少与第一侧墙交迭，

其中，第一侧墙和第二侧墙限定通孔的侧壁。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：在通孔中形成的第三侧墙，导电接触部通过该第三侧墙与鳍电隔离。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上沿第一方向形成鳍，鳍包括相对的第一端部和第二端部以及连接第一端部和第二端部的相对的第一侧面和第二侧面；

沿与第一方向交叉的第二方向且与鳍相交，形成栅电极；

在鳍的第一端部和第二端部，分别形成源区和漏区；

贯穿栅电极和鳍，形成通孔，通孔位于第一端部和第二端部之间，且位于第一侧面与第二侧面之间；

在通孔中形成电介质侧墙以覆盖鳍在通孔中露出的部分；以及

在通孔中填充导电材料，形成导电接触部，该导电接触部与栅电极电接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述衬底包括绝缘体上半导体(SOI)衬底，所述SOI衬底包括第一半导体层、形成于第一半导体层上的绝缘体层和形成于绝缘体层上的第二半导体层，以及

沿第一方向形成鳍包括：对SOI衬底的第二半导体层进行构图，以形成沿第一方向延伸的鳍。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，对SOI衬底的第二半导体层进行构图包括：

在SOI衬底上依次形成停止层、牺牲层和保护层；

对保护层和牺牲层进行构图，以形成沿第一方向延伸的形状；

在构图的保护层和牺牲层沿第一方向延伸的两个侧面上，形成第一侧墙；以及

以第一侧墙为掩膜，对SOI衬底的第二半导体层进行构图，以形成鳍。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，沿第一方向形成鳍包括：

在衬底上设置鳍材料层；

在鳍材料层上形成沿第一方向延伸的牺牲层；

在牺牲层沿第一方向延伸的两个侧面上，形成第一侧墙；以及

以第一侧墙为掩膜，对鳍材料层进行构图，以形成鳍。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成栅电极包括：

至少在鳍的第一侧面和第二侧面上形成栅介质层；

在衬底上形成栅导体层；以及

对栅导体层或对栅导体层和栅介质层两者进行构图，以形成栅电极。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，形成源区和漏区包括：

进行源漏离子注入；以及

退火，以激活注入的离子。