[发明专利]发光二极管晶粒及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210055984.4 申请日: 2012-03-06
公开(公告)号: CN103311391A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 黄嘉宏;黄世晟;凃博闵;林雅雯;杨顺贵 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10;H01L33/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种发光二极管晶粒,包括基板以及形成在基板上的电学层,所述基板和电学层之间形成过渡层,所述过渡层包括表面平整的平整区和表面粗糙的图案区,所述电学层与过渡层的平整区表面接触且所述电学层与过渡层之间夹设有球形氮化铝,所述电学层与过渡层的图案区之间形成间隙。本发明通过在电学层与基板之间先形成具有粗糙表面的过渡层,进而在该过渡层与该电学层间形成球形氮化铝,该氮化铝与该粗糙表面相匹配并与该电学层之间形成间隙,可提高发光层发出的朝向基板的光线经全反射向上出射的几率,从而提高发光二极管晶粒的出光效率。本发明还涉及一种该发光二极管晶粒的制造方法。
搜索关键词: 发光二极管 晶粒 及其 制作方法
【主权项】:
一种发光二极管晶粒,包括基板以及形成在基板上的电学层,其特征在于:所述基板和电学层之间形成过渡层,所述过渡层包括表面平整的平整区和表面粗糙的图案区,所述电学层与过渡层的平整区表面接触且所述电学层与过渡层之间夹设有球形氮化铝,所述电学层与过渡层的图案区之间形成间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司,未经展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210055984.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top