[发明专利]发光二极管晶粒及其制作方法有效
申请号: | 201210055984.4 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN103311391A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 黄嘉宏;黄世晟;凃博闵;林雅雯;杨顺贵 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管晶粒,包括基板以及形成在基板上的电学层,所述基板和电学层之间形成过渡层,所述过渡层包括表面平整的平整区和表面粗糙的图案区,所述电学层与过渡层的平整区表面接触且所述电学层与过渡层之间夹设有球形氮化铝,所述电学层与过渡层的图案区之间形成间隙。本发明通过在电学层与基板之间先形成具有粗糙表面的过渡层,进而在该过渡层与该电学层间形成球形氮化铝,该氮化铝与该粗糙表面相匹配并与该电学层之间形成间隙,可提高发光层发出的朝向基板的光线经全反射向上出射的几率,从而提高发光二极管晶粒的出光效率。本发明还涉及一种该发光二极管晶粒的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 晶粒 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管晶粒,包括基板以及形成在基板上的电学层,其特征在于:所述基板和电学层之间形成过渡层,所述过渡层包括表面平整的平整区和表面粗糙的图案区,所述电学层与过渡层的平整区表面接触且所述电学层与过渡层之间夹设有球形氮化铝,所述电学层与过渡层的图案区之间形成间隙。
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