[发明专利]半导体结构的制作方法

摘要

一种半导体结构的制作方法，包括：在半导体衬底的PMOS、NMOS晶体管区域上形成第一、第二栅叠层结构，其包括栅介电层、栅极层、第一、第二硬掩模，在其相对两侧形成侧墙；在衬底的预形成PMOS晶体管源漏的区域形成SiGe应力源层，然后去除第二硬掩模；在PMOS、NMOS晶体管源漏区域上形成硅化物，然后同步去除残余的金属接触材料层及第一硬掩模；对第一、第二栅叠层结构两侧的侧墙进行刻蚀，使其厚度减薄。制作过程中，不会造成由于侧墙被刻蚀之前栅极层上方硬掩模厚度不一致引起的PMOS、NMOS晶体管源漏上的硅化物被过多的刻蚀、或者在后续的化学机械研磨工艺中硬掩模被过多的研磨造成晶体管栅极高度减小的问题。

主权项

一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供半导体衬底，其包括PMOS晶体管区域、NMOS晶体管区域；在所述半导体衬底的PMOS晶体管区域上形成第一栅叠层结构，在NMOS晶体管区域上形成第二栅叠层结构，所述第一、第二栅叠层结构包括栅介电层、位于栅介电层上方的栅极层、位于栅极层上方的第一硬掩模、位于第一硬掩模上方的第二硬掩模，在所述第一、第二栅叠层结构的相对两侧形成侧墙；在所述半导体衬底的预形成PMOS晶体管源漏的区域形成SiGe应力源层，然后进行清洗，去除所述第一、第二栅叠层结构中的第二硬掩模，使第二硬掩模下方的第一硬掩模暴露出来；进行清洗之后，形成金属接触材料层并进行退火处理，以在PMOS晶体管、NMOS晶体管的源漏区域上形成硅化物，然后同步去除残余的金属接触材料层及第一硬掩模；对所述第一、第二栅叠层结构两侧的侧墙进行刻蚀，以去除部分侧墙，使其厚度减薄；形成应力膜，再形成层间介质层，进行平坦化处理直至露出第一、第二栅叠层结构中栅极层的表面；去除第一、第二栅叠层结构中的栅极层、栅介电层以形成沟槽，依次向所述沟槽内填充高K介电层、金属栅极材料层。