[发明专利]生长在模板上以减小应变的III-氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201210049115.0 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102569576A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | P.N.格里洛特;N.F.加德纳;W.K.戈茨;L.T.罗马诺 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汪扬;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种器件包括：III-氮化物结构，包括：第一层（22），其中该第一层基本没有铟；在第一层上生长的第二层（26），其中该第二层是包括铟的非单晶层；以及在第二层上生长的器件层（10），该器件层包括在n型区和p型区之间设置的III-氮化物发光层。减小发光器件中的应变可以提高器件的性能。应变可以被如下定义：给定层具有与和该层相同组分的独立式材料的晶格常数对应的体晶格常数abulk以及与生长在所述结构中的该层的晶格常数对应的面内晶格常数ain-plane。层中的应变量是|（ain-plane-abulk）|/abulk。在一些实施例中，发光层中的应变小于1％。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 模板 减小 应变 iii 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：III‑氮化物结构，包括：第一基本单晶层；第二基本单晶层；以及在所述第一和第二基本单晶层之间设置的包括铟的非单晶层；其中所述III‑氮化物结构还包括在n型区和p型区之间设置的发光层，其中所述第二基本单晶层设置在所述发光区和非单晶层之间。
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