[发明专利]生长在模板上以减小应变的III-氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201210049115.0 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102569576A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | P.N.格里洛特;N.F.加德纳;W.K.戈茨;L.T.罗马诺 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汪扬;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 模板 减小 应变 iii 氮化物 发光二极管 | ||
1. 一种半导体发光器件，包括：III-氮化物结构，包括：第一基本单晶层；第二基本单晶层；以及在所述第一和第二基本单晶层之间设置的包括铟的非单晶层；其中所述III-氮化物结构还包括在n型区和p型区之间设置的发光层，其中所述第二基本单晶层设置在所述发光区和非单晶层之间。
2. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中第一基本单晶层的组分不同于第二基本单晶层的组分。
3. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：所述第一基本单晶层是GaN或InGaN；所述第二基本单晶层是InGaN；以及所述第二基本单晶层具有比第一基本单晶层更大的InN组分。
4. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二基本单晶层具有比第一基本单晶层更大的面内a-晶格常数。
5. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述非单晶层是InGaN。
6. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在第一基本单晶层和非单晶层之间设置的第三基本单晶层。
7. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在包括铟的所述非单晶层和所述发光层之间设置的第三基本单晶层。
8. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：
所述发光层具有与和所述发光层相同组分的独立式材料的晶格常数对应的体晶格常数abulk；
所述发光层具有与生长在所述结构中的所述发光层的晶格常数对应的面内晶格常数ain-plane；以及
在发光层中|（ain-plane-abulk）|/abulk小于1％。
9. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述发光层的a-晶格常数大于3.189埃。
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