[发明专利]等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210048412.3 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102651336A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 中川显;大塚雄二 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够形成高纵横比的接触孔并能够抑制涂层蚀刻工序中的最小间隔的急剧减少的等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法。本发明是在形成于蚀刻停止层上的氧化硅膜上形成孔的等离子体蚀刻方法，其包括：对氧化硅膜进行蚀刻的主蚀刻工序；和在主蚀刻工序之后，在蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的蚀刻工序，在所述蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的蚀刻工序包括多次反复交替地进行第一蚀刻工序和第二蚀刻工序的工序，第一蚀刻工序使处理气体为C4F6气体、Ar气体和O2气体的混合气体，第二蚀刻工序使处理气体为C4F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体，或者为C3F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种等离子体蚀刻方法，在处理腔室内收纳被处理基板，使导入到所述处理腔室内的处理气体产生等离子体，通过该等离子体，隔着掩膜层在形成于所述被处理基板的蚀刻停止层上的氧化硅膜上形成孔，该离子体蚀刻方法的特征在于，其包括：对所述氧化硅膜进行蚀刻的主蚀刻工序；和在所述主蚀刻工序之后，在所述蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的蚀刻工序，在所述蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的蚀刻工序包括多次反复交替地进行第一蚀刻工序和第二蚀刻工序的工序，所述第一蚀刻工序使所述处理气体为C4F6气体、Ar气体和O2气体的混合气体，所述第二蚀刻工序使所述处理气体为C4F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体，或者为C3F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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