[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210043838.X | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN103022103A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李宗霖;袁锋;叶致锴;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的3D结构。半导体器件还包括设置在3D结构上方的介电层、设置在介电层上方的WFMG层、以及设置在WFMG层上方的栅极结构。栅极结构横贯3D结构，并且分离3D结构的源极区域和漏极区域。源极和漏极区域在它们之间限定沟道区域。栅极结构引起沟道区域中的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；3D结构，设置在所述衬底的上方；介电层，设置在所述3D结构的上方；功函数金属群(WFMG)层，设置在所述介电层的上方；以及栅极结构，设置在所述WFMG层的上方，其中，所述栅极结构横贯所述3D结构并分离所述3D结构的源极区域和漏极区域，在所述源极区域和所述漏极区域之间限定沟道区域，并且其中，所述栅极结构产生所述沟道区域中的应力。
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