[发明专利]一种多晶硅双极晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210039847.1 | 申请日： | 2012-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN102544078A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，具体地说涉及一种多晶硅双极晶体管。多晶硅双极晶体管，包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的氧化层、设置在氧化层上的多晶硅层以及设置在多晶硅层上的第一金属引出和第二金属引出；多晶硅层为注入了P型杂质和N型杂质的NPN或PNP结构；第一金属引出与多晶硅层连接形成阳极，第二金属引出与多晶硅层连接形成阴极。本发明还提供一种多晶硅双极晶体管的制作方法。本发明提供的多晶硅双极晶体管是在器件的氧化层之上形成多晶硅层，通过不同的注入，在多硅晶内制成多晶硅双极晶体管作为静电保护器件，具有良好的工艺兼容性，能满足基本的静电保护要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅双极晶体管，其特征在于：包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的氧化层、设置在所述氧化层上的多晶硅层以及设置在所述多晶硅层上的第一金属引出和第二金属引出；所述多晶硅层为注入了P型杂质和N型杂质的NPN或PNP结构，形成NPN或PNP多晶硅双极晶体管；当所述多晶硅双极晶体管为NPN多晶硅双极晶体管时，所述第一金属引出连接所述NPN结构之一端N注入区形成阳极，所述第二金属引出连接所述NPN结构之P注入区以及另一端N注入区形成阴极；当所述多晶硅双极晶体管为PNP多晶硅双极晶体管时，所述第一金属引出连接所述PNP结构之一端P注入区形成阳极，所述第二金属引出连接所述PNP结构之N注入区以及另一端P注入区形成阴极。
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