[发明专利]一种多晶硅双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种多晶硅双极晶体管，其特征在于：包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的氧化层、设置在所述氧化层上的多晶硅层以及设置在所述多晶硅层上的第一金属引出和第二金属引出；

所述多晶硅层为注入了P型杂质和N型杂质的NPN或PNP结构，形成NPN或PNP多晶硅双极晶体管；

当所述多晶硅双极晶体管为NPN多晶硅双极晶体管时，所述第一金属引出连接所述NPN结构之一端N注入区形成阳极，所述第二金属引出连接所述NPN结构之P注入区以及另一端N注入区形成阴极；

当所述多晶硅双极晶体管为PNP多晶硅双极晶体管时，所述第一金属引出连接所述PNP结构之一端P注入区形成阳极，所述第二金属引出连接所述PNP结构之N注入区以及另一端P注入区形成阴极。

2.如权利要求1所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于：所述半导体衬底为硅、碳化硅、砷化镓、氮化镓中的任意一种材料所制成。

3.如权利要求1所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于：所述氧化层为栅氧、场氧、STI层中的任意一种。

4.如权利要求1所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于：所述P型杂质和N型杂质注入的元素为硼、磷、砷中的任意一种。

5.如权利要求1所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于：所述第一金属引出为铝、铜及其化合物中的任意一种，所述第二金属引出为铝、铜及其化合物中的任意一种。

6.一种多晶硅双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成氧化层；

(2)在所述氧化层上形成多晶硅层，对所述多晶硅层注入P型杂质和N型杂质，经退火形成NPN或PNP结构；

(3)当所述多晶硅层为NPN结构时，通过第一金属引出连接所述NPN结构之一端N注入区形成阳极，通过第二金属引出连接所述NPN结构之P注入区以及另一端N注入区形成阴极，形成NPN多晶硅双极晶体管；

当所述多晶硅层为PNP结构时，通过第一金属引出连接所述PNP结构之一端P注入区形成阳极，通过第二金属引出连接所述PNP结构之N注入区以及另一端P注入区形成阴极，形成PNP多晶硅双极晶体管。

7.如权利要求6所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于，步骤(1)中所述半导体衬底为硅、碳化硅、砷化镓、氮化镓中的任意一种材料所制成。

8.如权利要求6所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于，步骤(1)中所述氧化层为栅氧、场氧、STI层中的任意一种。

9.如权利要求6所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于，步骤(2)中所述P型杂质和N型杂质注入的元素为硼、磷、砷中的任意一种。

10.如权利要求6所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于，步骤(2)中所述退火为高温快速退火、低温炉管退火中任意一种。

11.如权利要求6所述的多晶硅双极晶体管，其特征在于，步骤(3)中所述第一金属引出为铝、铜及其化合物中的任意一种，所述第二金属引出为铝、铜及其化合物中的任意一种。