[发明专利]具有稳定供电的电容器的半导体集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201210037951.7 | 申请日： | 2012-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN102903717A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 金宗洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有提供稳定电源的电容器的半导体集成电路及其制造方法。在外围电路区域中形成有虚设电容器组，且虚设电容器组包括虚设储存节点接触单元、电介质和虚设平板电极。在外围电路区域中形成有金属氧化物半导体(MOS)电容器，且MOS电容器与虚设电容器组并联连接。虚设电容器组的电容可以大于MOS电容器的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 稳定 供电 电容器 半导体 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路，包括：虚设电容器组，所述虚设电容器组形成在外围电路区域上，且包括虚设储存节点接触单元、电介质、以及虚设平板电极；以及金属氧化物半导体电容器，所述金属氧化物半导体电容器形成在所述外围电路区域中，且与所述虚设电容器组并联连接，其中，所述虚设电容器组的电容大于所述金属氧化物半导体电容器的电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
