[发明专利]具有稳定供电的电容器的半导体集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

虚设电容器组，所述虚设电容器组形成在外围电路区域上，且包括虚设储存节点接触单元、电介质、以及虚设平板电极；以及

金属氧化物半导体电容器，所述金属氧化物半导体电容器形成在所述外围电路区域中，且与所述虚设电容器组并联连接，

其中，所述虚设电容器组的电容大于所述金属氧化物半导体电容器的电容。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述虚设电容器组包括并联连接的多个虚设单元电容器。

3.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述金属氧化物半导体电容器包括：

第一电极，所述第一电极与所述虚设储存节点接触单元电连接；

第二电极，所述第二电极与所述虚设平板电极电连接；以及

绝缘层，所述绝缘层夹在所述第一电极与所述第二电极之间。

4.如权利要求3所述的半导体集成电路，其中，所述金属氧化物半导体电容器的所述第一电极为有源区，而所述金属氧化物半导体电容器的所述第二电极为栅极。

5.如权利要求3所述的半导体集成电路，其中，所述金属氧化物半导体电容器的所述第一电极为栅极，而所述金属氧化物半导体电容器的所述第二电极为有源区。

6.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述虚设电容器组的所述虚设储存节点接触单元包括：第一储存节点接触单元以及与所述第一储存节点接触单元分开布置的第二储存节点接触单元。

7.如权利要求6所述的半导体集成电路，其中，所述虚设电容器组包括：

第一虚设电容器组，所述第一虚设电容器组包括所述第一储存节点接触单元、所述电介质、以及所述虚设平板电极；以及

第二虚设电容器组，所述第二虚设电容器组包括所述第二储存节点接触单元、所述电介质、以及所述虚设平板电极。

8.如权利要求6所述的半导体集成电路，其中，所述虚设电容器组包括形成在与所述外围电路区域相邻的、包括多个单元阵列区域的单元区域中的单元电容器。

9.如权利要求8所述的半导体集成电路，其中，所述第一虚设电容器组的电容对应于在形成于所述单元区域的所述多个单元阵列区域之中的任何一个单元阵列区域中所形成的单元电容器的总电容。

10.一种半导体集成电路，包括：

第一虚设电容器组，所述第一虚设电容器组包括第一储存节点接触单元、第一电介质、以及平板电极；

第二虚设电容器组，所述第二虚设电容器组包括所述平板电极、第二电介质、以及第二储存节点接触单元；以及

金属氧化物半导体电容器，所述金属氧化物半导体电容器包括与所述第一储存节点接触单元连接的第一电极、以及与所述第二储存节点接触单元连接的第二电极。

11.如权利要求10所述的半导体集成电路，其中，所述第一虚设电容器组和所述第二虚设电容器组中的至少一个包括并联连接的多个虚设电容器。

12.如权利要求10所述的半导体集成电路，其中，所述第一虚设电容器组和所述第二虚设电容器组以及所述金属氧化物半导体电容器形成在半导体衬底的外围电路区域中。

13.如权利要求12所述的半导体集成电路，其中，所述虚设电容器组包括形成在与所述外围电路区域相邻的、包括多个单元阵列区域的单元区域中的单元电容器。

14.如权利要求13所述的半导体集成电路，其中，所述第一虚设电容器组和所述第二虚设电容器组中的至少一个的电容对应于在所述单元区域的所述多个单元阵列区域之中的任何一个单元阵列区域中所形成的单元电容器的总电容。

15.如权利要求10所述的半导体集成电路，其中，所述金属氧化物半导体电容器的所述第一电极为栅极，而所述金属氧化物半导体电容器的所述第二电极为有源区。

16.如权利要求10所述的半导体集成电路，其中，所述金属氧化物半导体电容器包括非直线形状的凹陷栅极。

17.如权利要求10所述的半导体集成电路，其中，所述第一储存节点接触单元具有与所述第二储存节点接触单元相反的电位。