[发明专利]半导体装置及其制造方法、半导体晶片层叠法和电子设备

摘要

本发明公开了半导体装置及其制造方法、半导体晶片的层叠方法和包括上述半导体装置的电子设备。所述半导体装置的制造方法包括：在第一半导体晶片的表面侧上形成布线层；在所述布线层上形成埋入膜以填充级差，并且使所述第一半导体晶片的周边区域中的所述布线层的上方的表面与所述第一半导体晶片的内侧区域中的所述布线层的上方的表面基本彼此齐平；并且使所述布线层上方的表面与第二半导体晶片的期望表面相对，并进行层叠，从而将所述第一半导体晶片层叠至所述第二半导体晶片。根据本发明，能够通过增大半导体装置中的接合面的附着力以防止碎裂、晶片间的脱落等，由此改善了该半导体装置的可靠性。

主权项

一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：在第一半导体晶片的表面侧上形成第一布线层；在所述第一布线层上形成第一埋入膜以填充第一级差，并且使所述第一半导体晶片的周边区域中的所述第一布线层上方的表面与所述第一半导体晶片的内侧区域中的所述第一布线层上方的表面基本彼此齐平，所述第一级差形成在所述第一半导体晶片的所述周边区域与所述第一半导体晶片的所述内侧区域之间的边界处，所述第一半导体晶片的所述内侧区域位于所述第一半导体晶片的所述周边区域的内侧，并且所述第一级差是由于所述第一半导体晶片的所述周边区域中的所述第一布线层上方的表面形成为低于所述第一半导体晶片的所述内侧区域中的所述第一布线层上方的表面而形成的；并且使所述第一布线层上方的表面与第二半导体晶片的期望表面相对，并进行层叠，从而将所述第一半导体晶片层叠至所述第二半导体晶片。