[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括浮栅，所述浮栅形成在半导体衬底之上；绝缘体，所述绝缘体形成在浮栅的第一侧壁上；电介质层，所述电介质层形成在浮栅的第二侧壁和上表面上；以及控制栅，所述控制栅形成在电介质层之上。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：多个浮栅，所述多个浮栅形成在半导体衬底之上；隧道绝缘层，所述隧道绝缘层形成在所述半导体衬底与所述多个浮栅之间；绝缘体，所述绝缘体形成在所述多个浮栅的第一侧壁上；电介质层，所述电介质层形成在所述多个浮栅的第二侧壁和上表面上；以及控制栅，所述控制栅形成在所述电介质层之上，其中，所述多个浮栅具有相同的临界尺寸，以及交替地设置在所述多个浮栅之间的间隔具有不同的临界尺寸，以及其中，所述多个浮栅之间的间隔非对称地形成，其中，所述多个浮栅的相邻的所述第二侧壁之间的间隔大于所述多个浮栅的相邻的所述第一侧壁之间的间隔，其中，所述半导体衬底包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽与所述多个浮栅的第二侧壁对准，所述第二沟槽与所述多个浮栅的第一侧壁对准，所述绝缘体在间隙填充所述第二沟槽的同时形成在所述多个浮栅的第一侧壁上。