[发明专利]保护层形成用薄膜有效
| 申请号： | 201210031499.3 | 申请日： | 2012-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN102637651A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 小田高司;高本尚英;松村健 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以在抑制半导体装置制造时的工序数增加的同时、防止半导体晶片所具有的低介电常数材料层的裂纹的保护层形成用薄膜。本发明的保护层形成用薄膜是用于在形成有低介电常数材料层的带有凸点的晶片上形成保护层的保护层形成用薄膜，将支撑基材、粘合剂层和热固性树脂层依次层叠，热固性树脂层的熔融粘度为1×102Pa·S以上且小于2×104Pa·S、并且粘合剂层的剪切弹性模量为1×103Pa以上2×106Pa以下的温度存在于50～120℃的温度范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 保护层 形成 薄膜 | ||
【主权项】：
一种保护层形成用薄膜，其特征在于，所述保护层形成用薄膜用于在形成有低介电常数材料层的带有凸点的晶片形成保护层，依次层叠有支撑基材、粘合剂层和热固性树脂层，所述热固性树脂层的熔融粘度为1×102Pa·S以上且小于2×104Pa·S，且所述粘合剂层的剪切弹性模量为1×103Pa以上且2×106Pa以下的温度存在于50～120℃的温度范围内。
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